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GKI06109
制造厂商：Sanken
类别封装：单端场效应管，8-DFN
技术参数：MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：GKI06109制造商：Sanken（三肯，三垦）描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.9 毫欧 @ 23.6A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 650?A不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38.6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2520pF @ 25V功率 - 最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN（5x6）现在可以订购GKI06109，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
