据摩尔定律延续，由14nm，7nm，再到5nm，芯片制程工艺技术一直在突破。在5nm刚刚起步实现大规模突破的时候，台积电对于2nm芯片工艺技术的研发就已经实现重大突破，并开始向1nm制程迈进。

台媒透露，台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破。根据台积电的介绍，理想状态下，2nm制程芯片将于2023年下半年进行小规模试产，如无意外，2024年就可以大规模量产。

台积电还表示，2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距，同时延续摩尔定律，继续挺进1nm工艺的研发。

预计，苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺，此前关于摩尔定律已经失效的结论或许就要被台积电再次打破了。

虽然台积电十分乐观，但是根据物理定律，当芯片的工艺下探到极点的时候，由于隧穿效应，芯片内的电子反而不能充分发挥全部的实力。与之相应的，制造商的成本也会指数级上升。

根据三星的介绍，其在5nm工艺研发上的投入就达到了4.8亿美元。

2nm工艺上，台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管)，甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，也就是纳米线(nanowire)，而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管)，也就是纳米片(nanosheet)。

从GAAFET到MBCFET，从纳米线到纳米片，可以视为从二维到三维的跃进，能够大大改进电路控制，降低漏电率。新工艺的成本越发会成为天文数字，三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4.8亿美元，3nm GAAFET上会大大超过5亿美元。

因此，虽然台积电在2nm芯片研发上获重大突破，但是在量产之前还需要解决更多难题。